碳化硅产业链最新投资图谱及标的，希望对你的投资有帮助!

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，具有较高的导热率、熔点等。

受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将达到62.97亿美元，2021-2027年的复合增速约为34%。

碳化硅产业链依次可分为：衬底、外延、器件、终端应用。

受制于材料端的制备难度大，良率低，产能小，目前产业链的价值集中于衬底和外延部分，前端两部分占碳化硅器件成本的 47%、23%，而后端的设计、制造、封测环节仅占 30%。

衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。

碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ω·cm左右，半绝缘型电阻率大于106Ω·cm。

在导电型衬底上生长SiC衬底制作的功率器件可以应用在新能源汽车、电网、光伏逆变器、轨道交通等高压工作场景。

在半绝缘型衬底上生长GaN外延制作的微波射频器件主要应用在射频开关、功率放大器、滤波器等通讯场景，可以满足5G通讯对高频性能和高功率处理性能的要求。

随着国内碳化硅衬底产能建设的推进，市场对于其原材料高纯热场、高纯保温、高纯碳粉、高纯碳化硅粉等需求将快速增加。

目前中国大陆碳化硅衬底规划投资超200亿元，未来远期规划年产能超400万片。

我国的导电型碳化硅衬底龙头天科合达市场份额不足2%。

在半绝缘型衬底方面，我国的天岳先进进入全球头部厂商地位，2020年市场份额为30%，市场占有率排名全球第三、国内第一。