今日投资热点介绍——第三代半导体

第三代半导体是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，与以Si、Ge为代表的第一代半导体和以GaAs、InP为代表的第二代半导体相比，第三代半导体材料具有高禁带宽度、高热导率、高击穿电场强度等材料特点，更适用于高电压、高功率、高频率及高温环境。

因此，第三代半导体能够广泛应用于新能源汽车、5G、光伏、卫星通信、工业控制、消费电子等热门领域，但目前也存在生长困难、良率较低、成本较高等问题。

材料制备是第三代半导体产业链中关键环节，主要包括SiC衬底制备、SiC外延生长、GaN外延生长。

SiC衬底全球市场被美国CREE和II-IV等厂商垄断，但国内部分厂商在细分领域，具有一定市场竞争力。此外，国内SiC外延与GaN外延厂商近年来也在逐步发展，产品已经能够用于器件生产。

国内第三代半导体产业与国外的差距要小于传统半导体产业差距，而我国在下游需求——新能源汽车、5G、光伏市场具有较强竞争力与发展潜力，加之国家不断出台相关政策支持，我国第三代半导体产商有望逐步追上国外厂商，实现国产替代、自主可控。

以下是相关第三代半导体部分成分股名单

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