#鹏城半导体公司参加-“2021(十三届)传感器与MEMS产业化技术国际研讨会（暨成果展)”#11月18日，由中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室、中国电子学会传感与微系统技术分会主办，北京赛微电子股份有限公司协办,由厦门半导体投资集团有限公司、上海龙媒商务咨询有限公司承办的“2021(十三届)传感器与MEMS产业化技术国际研讨会（暨成果展)”在厦门海沧融信华邑酒店顺利召开；本届鹏城半导体技术（深圳）有限公司以崭新的姿态亮相传感器与MEMS产业化技术国际研讨会（暨成果展)，首次全面展示公司各系列产品。

鹏城半导体展示区采用了图文展板的展示方式，展示了先进的生产工艺、高端装备和制造水平，充分体现出了鹏城半导体企业的新形象，吸引了各级人士和各方面客户。鹏城半导体向来到公司展区的客户介绍了我们的核心产品-分子束外延薄膜生长设备（该设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验投入使用，至今仍正常使用）及高真空磁控溅射仪，进一步增强了各方面客户对公司的了解和合作信心，让我们携手提升国产化产品水平，争取产业链的自主可控。

在大会上，对于中国半导体产业的发展情况，王汇联指出，我国虽然已成为了全球最大的芯片市场之一，经济总量也排到了全球第二。但真正形成创新能力到科技强国的路很漫长。”

基于此，王汇联重申了我国半导体产业必须面对的问题，一是需要思考我们的发展路径，前几十年一直是跟随模仿，利用国际化资源来发展产业，接下来的路应该怎么走？二是先进工艺（10nm以下）、EDA工具、半导体装备和材料等卡脖子技术如何突破？三是基于美国技术限制的先进工艺（10nm以下）产业链和供应链如何塑造？四是过往的认识、模式、路径和经验是否已不适宜当今形势？

“我们今天面对的是未来30-50年的发展权问题，而半导体势必是战略竞争的焦点，需要探寻符合中国国情的发展模式和路径。”王汇联总结道。

王汇联同时指出，在半导体领域，我们最大的软肋是缺乏与国情相符的支撑半导体产业的方式方法，特别是地方政府层面。为此，王汇联提出两点对策，一是要探寻基于中国市场特点的技术路径、发展模式，调整长期以来对外的路径依赖，惰性依赖，特别是科技界应坚持以我为主、坚持开放发展；二是芯片的基础是制造业，要加快产能扩充，即便有失败（失误）也是合理、可控的，要减少行政干扰。

另外，王汇联指出未来几年产能缺口较大，基于市场需求和产业基础考虑，须加快产能扩充，但同时要预防断崖式下跌。

关于鹏城半导体

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。

公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队和工艺工程师团队，他们具有20多年成套装备设计和生产制造经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发平台和检测仪器，可以在高起点开展科研工作。公司已具有4000多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。

公司在半导体装备方面已形成多种产品系列，可供用户购买。

业绩展示

完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。

设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。