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台积电投资估破2兆新台币


晶圆代工龙头台积电启动3纳米晶圆厂Fab 18B厂的兴建,预期明年下半年进入量产,至于选定在新竹宝山兴建的2纳米晶圆厂虽然仍有环评问题有待解决,但新厂预估会在明年下半年动土兴建。设备商预估,台积电3纳米及2纳米的技术研发及产能投资,合计超过新台币2兆元的大投资计划已正式启动,包括汉唐、帆宣等台积电大联盟合作伙伴将直接受惠。


台积电宣布今年资本支出将提升至250~280亿美元创下历史新高纪录,同时改写台湾科技业单一厂商年度资本支出的新高纪录。台积电未来几年的重大投资,在于建置3纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程产能,以及2纳米环绕闸极(GAA)制程产能,设备业者推估未来三~五年的资本支出维持高档,整个3纳米及2纳米大投资总金额将超过新台币2兆元。


台积电专为3纳米打造的南科Fab 18B厂已经开始动土兴建,预期将兴建Fab 18厂区第四期至第六期等共三座晶圆厂,总月产能约达9万片,台积电规划的3纳米厂厂房基地面积约为35公顷,洁净室面积将超过16万平方公尺,大约是22座标准足球场大。台积电3纳米预计今年下半年试产,明年下半年进入量产,届时将成为全球最先进的逻辑制程技术,使得台积电持续保持技术领先的地位。


台积电2纳米已进入技术研发阶段,建厂地点已选定在新竹宝山,虽然近期仍有环评问题有待解决,但业界评估应可顺利过关。台积电2纳米初期建厂将维持三座厂的超大型晶圆厂建置,预计2纳米将于3纳米量产第二年的2023年进入试产,2024年进入量产,届时台积电2纳米仍会是当时全球最先进的逻辑制程技术。


由于3纳米及2纳米都采用先进的极紫外光(EUV)微影技术,台积电未来几年资本支出将维持高档,2纳米进入量产之际,台积电的EUV机台总数将上看100台庞大规模,成为全球拥有最大EUV产能的半导体厂。为搭配先进制程技术推进,台积电同步布局3DFabric先进封装,看好小芯片(chiplet)架构带来新成长动能,芯片或晶圆堆栈的SoIC技术预计在2022年开始量产。


台积电全力冲刺3纳米及2纳米先进制程的同时,也对台湾供应链扩大下单,包括EUV光罩载具厂家等,厂务工程业者汉唐及帆宣,设备及备品供货商京鼎及弘塑,绿色制程厂务工程业者信纮科,精密零组件供货商意德士及公准,检测分析业者宜特及闳康等台积电大联盟合作伙伴直接受惠。法人看好台积电资本支出概念股今年营运表现,未来三~五年受惠于台积电3纳米及2纳米大投资启动,营运可望逐年成长并创下新高。(作者:涂志豪/核对:华强商城)

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