没了“张屠户”，咱们也不吃带毛的猪！国产光刻机技术进程全速前进，如果这项技术再“翻越”德国，我们就算熬出头了！

6月10日，中科院对外界公布了一项实验结果，已经在“快速光学邻近效应修正技术”即“基于虚拟边与双采样率像素化掩摸图形”获得重大进展。

简单来说，中科院的光机所是研发出一种被称之为OPC的技术，可以有效地提高光刻机的分辨率，增大工艺窗口，修正光刻机在工作时的误差，这对于我国28nm以下芯片代工技术具有重要意义。在光刻机软件和硬件都不变化的情况下，通过这一项技术提高光刻的分辨率，大大提升芯片良品率。

但是，目前还不是盲目乐观的时候，我国光刻机行业跟全球先进技术还有不小的差距，上海微电子是我国国内唯一能够做光刻机的企业，已经量产的光刻机中，性能最好的是SSA600/200工艺，能够达到90nm的制程工艺，相当于2004年奔四CPU的水平。近期，在台积电举办2021年技术论坛上，台积电宣布4nm预计今年第3季开始试产，较先前规划提早一季时间，3nm制程则将依计划于2022年下半年量产。

目前来看，EUV光刻机的光源问题有望率先解决，首先是前不久，清华大学唐传祥教授带队取得光源技术进展，有望突破光刻机的核心技术——EUV光源，可用于28纳米芯片，很多人不了解28纳米制程，认为做不到14纳米，7 纳米，3纳米等先进制程，其实28加上多层曝光就有望解决其他制程，达到28nmEUV光刻机就等于有了基础。

除了光源，还有一个核心技术组件我们也是绕不开的，就是光源反射镜头，发射极紫外光束的是EUV光系统，负责将光线打在晶圆表面的是镜头系统。晶圆在曝光过程中，对光源纯度和光线覆盖率的要求极高，对负责打光的光学镜头的要求也极高。

拿镜面光洁度来说，7纳米以下制程的芯片对EUV光源分辨率、纯度的极高要求，规定EUV光刻机镜头的光洁度不得高于50皮米（1米等于1万亿皮米）。

这是什么概念呢？如果将光刻机镜头的表面积（50皮米），把镜头比例放大到我国的山东加河南之和的面积，表面粗糙度误差不得超过0.5厘米，一旦超过0.5厘米，就是不合格。目前放眼全球，也就只有德国蔡司镜头可以配合这种高精度作业。

一个国家独立制造先进的光刻机，难度系数远超很多人的想象，2018年，《科技日报》评选制约我国工业发展的35项关键技术中，光刻机名列第一。在贵州举办的数字博览会上，甚至有工程院院士直言，光刻机是全球化的结晶，一个国家或一个地区独立制造光刻机是不现实的。

但是，其他国家做不到，不代表我们中国做不到，没有西方发达国家的技术支持，我们一样可以送嫦娥上天，让蛟龙潜海，核心技术整合资源突破，聚焦研发，这就是我们的优越性，是乐观的估计一下，两年左右拿出中高端样机，三年左右材料系统生态全配套，五年内初步实现自给自足。