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电子科技大学与复旦大学拓扑量子材料宽频光电探测器

电子科技大学与复旦大学:拓扑量子材料宽频光电探测器

拓扑量子材料(包括狄拉克/外尔半金属、拓扑绝缘体)为新型红外探测器的实现提供了新的材料体系。随着单元素半导体碲中由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡的发现,成功的将外尔物理拓展到半导体体系。由于该材料具有非常高的电荷迁移率、合适的窄带隙能带结构及优异的光学吸收系数,为探究新型拓扑半导体电子与光电子器件创造了良好的契机。

近日, 电子科技大学王军教授与复旦大学修发贤教授合作在拓扑量子材料宽光谱光电探测器方面取得新进展,通过将外尔半导体碲(Te)薄膜与硒化锑(Sb2Se3)薄膜相结合,构建了大面积Te/Sb2Se3异质结构薄膜光电探测器,实现了从可见光(405 nm)到中红外(4500 nm)波段的宽光谱探测。在此基础上,以合适厚度的C60作为电荷调控介质,进一步构建了Te/C60/Sb2Se3复合结构光电探测器,该器件能够表现出与波长及功率密度相依赖的双向光电流信号输出现象,为未来阵列化、宽光谱、多功能的光电子器件提供了一种参考的材料体系。

图 1. Te和Te/Sb2Se3异质结构薄膜的相关表征

在该工作中,在用分子束外延生长晶圆尺寸的Te薄膜基础上,将Te与Sb2Se3结合形成了Te/Sb2Se3复合结构,其相关表征如图1所示。得益于有效的异质结构组合,Te/Sb2Se3探测器可以实现从可见(405 nm)到中红外(4500 nm)的宽光谱探测目标,器件在808nm处的峰值响应率和比探测率分别可达110.8 A W1和2.09 × 1013 Jones(Te/Sb2Se3器件的结构示意图和光电性能如图2所示)。此外,通过将C60作为电荷调控介质沉积在Te和Sb2Se3薄膜之间,所构建的Te/C60/Sb2Se3 双异质结构器件(结构示意图如图3a所示)可以呈现出与激发光波长相依赖的双向光电流输出现象,即在不同波段处存在正负翻转的现象(图3b),器件在650nm(负响应)和785nm(正响应)处的代表性光电流曲线分别如图3c和d所示。这种独特的器件机理分析源于光电流在双异质结构体系中Te/C60 和 C60/Sb2Se3异质结构界面处存在的光电流竞争而引起的相反方向电荷漂移。通过吸收光谱表征和光调控实验,相关的双向光电流输出机制也得到了验证。

图 2. Te/Sb2Se3光电探测器结构及性能

相关研究成果以“Weyl Semiconductor Te/Sb2Se3 Heterostructure for Broadband Photodetection and Its Binary Photoresponse by C60 as Charge-Regulation Medium”为题发表在《Advanced optical materials》上(Adv. Optical Mater. 2021, 2101256)。

图3. Te/C60/Sb2Se3双异质结构探测器及性能测试结果

论文信息:

Weyl Semiconductor Te/Sb2Se3 Heterostructure for Broadband Photodetection and Its Binary Photoresponse by C60 as Charge-Regulation Medium

Xingchao Zhang, Yunkun Yang, Zihan Li, Xianchao Liu, Chaoyi Zhang, Silu Peng, Jiayue Han, Hongxi Zhou, Jun Gou, Faxian Xiu*, Jun Wang*

Advanced optical materials

DOI:10.1002/adom.202101256

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