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中科院实现超分辨率激光光刻技术近期,中科院苏州所联合国家纳米中心在纳米快报

#中科院实现超分辨率激光光刻技术#近期,中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》,很多人误以为“我国光刻机取得重大突破”,什么“打破突破ASML的垄断”,实际真的是这样的吗?

中科院给予了回应:这一技术与极紫外光刻技术是两回事;

1、中科院的“5纳米超高精度激光光刻加工方法”主要用途是制作【光掩模】,对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的,而集成电路的线宽则由光源波长和数值孔径决定,掩模上电路版图的大小也能影响光刻的尺寸;

2、中科院是突破了一部分5nm掩膜版技术,但是EUV光刻机的镜头的数值孔径、光源的波长都还没有突破,所以还有很长一段路要走;

3、中科院的实现的5nm掩膜版加工,用的光源并非是EUV光刻机的极紫外光;

4、中科院的这一技术如今尚在实验室阶段,离商用还有很长一段路要走;

我们都知道,芯片制造成本最高的是什么?答案就是掩膜版,一个50nm掩膜版成本在500万以上,7nm的在3000万人民币以上,可见掩膜版也是集成电路制造必备高端生产零部件。

目前,只有台积电(NYSE:TSM)英特尔(NASDAQ:INTC)、三星(PINK:SSNLF)这三家能自主制造,剩下的高端掩模版主要被美国的Photronics、大日本印刷株式会社、日本凸版印刷株式会社三家公司垄断,荷兰ASML公司突破从开始研究到第一台极紫外EUV光刻机下线,整整花了20年时间,而且这还是在集齐全球顶尖零部件产业链的前提下(靠收购和入股),并非凭借一己之力,所以任何事情都急不得,并不是说重视了就能瞬间弯道超车,脚踏实地的一点点自主突破,多企业强强联合,比如光源找大族激光,光学镜头找凤凰光学,光刻掩膜版找华润和中微等,系统集成找华为,整合资源或许有一线生机!!

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