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台积电将在美投资120亿美元建厂可不一般!对我们很不利

台积电将在美投资120亿美元建厂可不一般!对我们很不利,一旦投产可能产生不利的影响。

美国国务卿蓬佩奥表示这很重要,尤其是当现在中国正在试图主导尖端技术控制关键行业。

美国以安全为由,要求台积电2nm芯片在美国建厂。如果一旦在美国建厂,我国想购置2nm芯片估计会被美国卡脖子。

当然,现在5nm芯片工艺制程还没成为市场主流,3nm芯片也在建设之中,2nm芯片工艺的研发需要4年左右的时间才能进入生产。按照台积电的说法,5nm、3nm芯片工艺都是一种过渡产品,真正意义重大的是2nm芯片工艺制程。因为2nm工艺的芯片已接近芯片工艺制程的物理极限,在此之后,芯片行业的发展是在现有基础上继续优化,还是另寻出路才能定夺。

2nm芯片的竞争如此激烈,如果一旦被断供,那就意味着我国将失去在电子领域的话语权。华为中兴等企业将受到致命的打击。如果去向三星购置,估计美国早就算好了这一步棋了。

目前,我国的优势只有芯片材料,即硅-石墨烯-锗,如果我们技术不外露,估计他们想研究这一材料也得用很长时间。

从目前国内芯片工艺研制进程来看,只有中科院的2nm芯片技术有希望实现重大突破。2019年中科院已经研究出了自主知识产权的自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管技术,这种晶体管技术相较于三星的3nm节点GAA环绕栅极晶体管更加先进,在国际上被视为2nm芯片工艺以下的主要候选技术。未来中国先进芯片工艺制程的突破,就看中科院的2nm芯片技术能否破冰,实现技术突破并实现产业化。

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